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文章针对氮化镓(gallium nitride,GaN)功率晶体管在双向DC-DC变换器中的应用进行设计。近年来,第三代宽禁带功率半导体器件GaN凭借其体积小、高频高效率等优势在电力电子应用中得到了广泛的关注。为实现双向DC-DC变换器便携式小功率应用场景下能量双向高效传输,本文设计了一种基于GaN器件的有源箝位双向反激变换器并对其性能进行验证,详细地介绍和分析了变换器的工作原理、开关模态以及软开关实现条件,并对主电路参数进行设计,采用LTspice软件搭建仿真模型,仿真结果验证了该变换器在小功率应用下可实现开关管软开关性能。最后,设计了一个20W的实验样机验证了所设计拓扑的准确性和有效性,结果表明该变换器较传统Si MOSFET器件具有更高的转换效率。 |
关键词: GaN晶体管 电力电子应用 有源箝位双向反激变换器 软开关 转换效率 |
DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2023.01.025 |
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