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提出了一种无电压回跳(snapback-free )的逆导型绝缘栅双极型晶体管 (RC-IGBT)结构,在集电极侧场截止层下方加入了一个N型层作为高阻层且把N+集电区部分替换为P型薄层,通过加入的N型高阻层增加集电极电阻,同时用P型薄层保证在初始导通时集电区的空穴能够在第一时间注入,消除了电压回跳现象,并且使器件的反向恢复电流峰值降低了15A?cm-3,同时改善了器件的关断特性,关断时间减小了103ns,相较于传统FS RC-IGBT,反向恢复峰值电流降低了33.3%,关断时间减小了9.93%。 |
关键词: 绝缘栅双极型晶体管 无电压回跳 N
+集电区 反向恢复电流 |
DOI:10.3969/j.issn.1005-9490.2023.06.004 |
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基金项目:国家自然科学基金项目(面上项目,重点项目,重大项目) |
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