| 摘要:针对动态随机储存器（DDR）稳压供电的应用需求，设计了一款同时满足“拉”“灌”电流能力且能适用各种不同DDR模块供电需求的LDO稳压芯片。该芯片基于华虹HHGraceBCD0.35μm工艺，在Cadence Spectre软件环境下进行设计与仿真，经过版图设计和后仿真，最终进行流片生产。基于样品测试数据表明，当工作温度范围在-55℃~125℃内，该芯片能提供2.5A拉灌电流，负载调节率在±15mV以内，可以满足DDR、DDR2终端的电源要求。 |
| 关键词: 低压差线性稳压器 拉灌电流 芯片设计 带隙基准 |
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