| 摘要:基于SilvacoTCAD仿真平台，建立了新型深沟槽半超结元胞结构模型，给出了深挖槽该新型器件的工艺流程与条件，为相关产品的工艺制备提供参考，提出新型器件的等效电容模型，并对其电容特性进行了仿真研究与分析。最后，提出在相同元胞面积，近似相等击穿电压及相同沟槽宽度下，对新型深沟槽半超结MOS结构与传统沟槽型TrenchMOS结构进行仿真对比，得到沟槽深度是传统沟槽型的3~4倍，导通电阻值下降约50%，且Ciss/Cgd值约是传统沟槽型的5倍，具有更优良的抗漏极电压震荡干扰性能。同时探究了栅沟槽深度及p柱区掺杂浓度对器件寄生电容特性的影响。 |
| 关键词: 深沟槽 半超结 工艺制造 电容特性 |
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