| 摘要:氧化镍（Ga2O3）因其超宽禁带（4.9eV）显著优于硅，被誉为第四代半导体材料。其带隙对应于280nm波长的紫外光频率，仅对日盲波段光子敏感，而对波长大于280nm的紫外、可见及红外光均呈透明特性，因而具备优异的选择性探测能力，在军事与民用领域展现出广阔应用前景，受到学术界广泛关注。综述了基于β-GaO的紫外日盲光电探测器的最新研究进展，系统介绍了GaO的基本物理特性、光电探测器的关键性能参数及其典型器件结构。最后，总结了当前该类探测器在材料生长、器件设计与性能优化方面所面临的挑战，并对未来发展方向进行了展望。 |
| 关键词: 氧化镍（Ga2O3） 日盲 紫外 光电探测器 器件结构 |
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